Hprobe

特許取得の多軸磁場発生技術を使用したHprobeは、磁性素子やセンサのウェハレベルテストや特性評価に用いられます。MRAM（STT、SOT、VCMA）および磁気センサ（TMR、GMR）等の製品を取りそろえ、研究開発から量産まで各段階のニーズに対応しています。

3D高強度磁場発生装置により、高速で対象をスキャンし、ヒステリシス曲線を取得。電気特性評価のスピードアップを実現します（RH曲線測定が100ミリ秒以内）。現在、磁場強度は0.5 Teslaに達しており、将来的には2 Tesla以上への向上を目指しています。